中心思想
AI算力驱动晶圆耗酸量结构性提升，国产电子级氢氟酸迎来供需紧平衡窗口
- 电子级氢氟酸作为晶圆制造中用量最大的湿电子化学品，在AI算力驱动下，先进制程与3D NAND堆叠层数提升导致单片耗酸量倍增，行业需求端出现结构性增长。
- 供给端日系企业扩产缓慢，国内G5级产品突破认证并实现批量供货，叠加2026年5月以来韩国市场高价抢货，国产电子级氢氟酸国产化进程显著提速。
价格上行与认证突破双重验证，国产替代进入实质放量阶段
- 2026年6月相较年初，UP级价格上涨约19%，UPS级上涨约17%，成本支撑与供需趋紧共同推动价格上涨。
- 多氟多已向台积电、三星、华虹半导体、长鑫存储等主流晶圆厂批量供货，国产G5级产品认证突破标志着行业格局加速重塑。
主要内容
1. 行业背景：电子级氢氟酸在晶圆制造中的角色
清洗与蚀刻双重核心地位，制程演进推动耗酸量倍增
电子级氢氟酸是晶圆制造中用于清洗和蚀刻的关键湿电子化学品。清洗环节，从28nm向7nm及以下制程演进，清洗步骤从约100步增至200步以上，3nm制程因EUV光刻要求增至300步以上，单片12寸晶圆先进制程耗酸量较28nm高出2-3倍。蚀刻环节，3D NAND从128层向300层以上迈进，高深宽比蚀刻次数指数级增长。AI训练与推理芯片采用先进制程和大尺寸设计，等效耗酸量进一步提升。据SEMI数据，2025年全球半导体设备支出约1255亿美元，中国区占比持续提升，晶圆厂扩产直接拉动需求增长。
2. 边际变化：价格、供给与认证
2.1 价格端：成本与需求双轮驱动，价格涨幅显著
据百川盈孚数据，2026年6月29日相较年初，UP级（G3-G4）电子级氢氟酸价格上涨约19%，UPS级（G5）上涨约17%。成本端萤石与硫酸价格上行形成支撑，需求端晶圆厂扩产叠加日系扩产缓慢，供需边际趋紧。
2.2 供给端事件：韩国高价抢货强化国内供给地位
据韩媒The Elec报道（2026.5.14），韩国半导体企业所需无水氢氟酸约90%从中国进口，2026年5月以来出现高价抢货现象，反映出日系产能瓶颈下国内已认证供应商地位的提升。
2.3 认证进展：多氟多实现主流晶圆厂批量供货
多氟多（002407）7月1日公告，G5级电子级氢氟酸已向台积电、三星电子、华虹半导体、长鑫存储等主流晶圆厂批量供货，国产化认证取得实质性突破。
3. 行业格局：日系主导与国内突破
日系垄断高端市场，国内突破面临三重壁垒
高端G5级及以上长期由日系主导，Stella Chemifa具备G6级量产能力，森田化学占据G5级主要份额，日系企业均无在华规模化产能。国内突破难点：一是G5级要求金属离子含量低于10ppt（G6级低于1ppt），纯度控制苛刻；二是设备需采用PFA等高纯氟材料防腐蚀和二次污染；三是认证周期长达12-24个月，批次一致性要求极高。
4. 相关标的
国内核心参与者布局梳理
巨化股份（600160）、三美股份（603379）、永和股份（605020）、滨化股份（601678）、多氟多（002407）。其中多氟多G5级产品已批量供货主流晶圆厂，认证进展领先。
5. 风险提示
多重风险需关注：营收占比、竞争、扩产节奏与质量
电子级氢氟酸在相关公司营收中占比偏低，短期业绩弹性有限；日系降价竞争可能削弱国产替代经济性；晶圆厂扩产节奏不及预期；G5级以上批次一致性要求极高，存在产品质量风险。
总结
本报告围绕电子级氢氟酸行业，分析了在AI算力驱动下晶圆耗酸量提升的背景，指出当前行业正经历价格上行、供需趋紧、国产认证突破的边际变化。日系主导的高端市场面临国内企业（如多氟多）的实质性突破，但产能放量仍需时间，且存在营收占比低、竞争格局变化等风险。总体而言，电子级氢氟酸国产化进入提速阶段，建议关注已实现批量供货的龙头企业及后续认证进展。
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