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基础化工行业研究:美光DRAM库存去化,关注材料端需求修复
下载次数:
69 次
发布机构:
国金证券股份有限公司
发布日期:
2023-11-30
页数:
3页
事件
11月28日新闻,美光第四季起启动收敛DRAM工厂减产幅度,反映领先完成库存去化,法人表示,美光DRAM库存已降至八周,完成库存去化,并将DRAM工厂减产幅度自第三季的31%收敛至第四季的17%、并预计在明年第一季至第四季维持减产幅度,DRAM晶圆厂可望自今年第四季至明年第二季陆续升载,推动价量齐扬。
点评
四季度存储行业持续改善,高端存储预期向好。在供应商对减产策略的坚持以及需求结构性改善的背景下,四季度部分存储价格涨幅扩大,根据TrendForce,自第四季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨,DRAM第四季合约价季涨幅约3~8%,其中第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%,展望24年一季度,存储价格预计仍将延续涨势。企业层面,三大存储原厂最新财报均有改善,美光24Q1财报将营收展望从44±2亿美元上调至接近47亿美元,DRAM库存水平已回到正常线,四季度减产将收敛,考虑到各家减产节奏,三星与海力士明年一季度或可看到减产环比收敛;受面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售的拉动,海力士DRAM业务在今年第一季度由盈转亏的DRAM仅在两个季度后扭亏为盈,三季度出货环比增长20%,ASP上升约10%;三星在今年下半年扩大减产幅度后,DRAM、NAND合约价也有所上调,未来将会继续专注于高附加值存储的销售。存储复苏将带动上游材料需求。存储芯片是半导体材料重要的使用场景,由于芯片结构的差异,部分半导体材料在存储芯片的用量会显著大于逻辑芯片,例如对于电子特气,在相同产能的情况下,存储芯片的气体用量比逻辑芯片的气体用量大2-3倍,前驱体的用量也是存储芯片更高,并且随着今年以后HBM、DDR5等高性能存储的起量,相关材料的内部结构也将发生变化,价值量有望提升,建议关注存储复苏对上游半导体材料行业的带动,相关标的如前驱体龙头雅克科技、电子特气龙头华特气体等。
风险提示
下游存储需求修复不及预期、存储原厂稼动率抬升进度不及预期、上游半导体材料研发进度不及预期
本报告的核心观点是:存储芯片市场正在复苏,DRAM和NAND Flash价格自四季度开始上涨,主要由于存储厂商积极减产去库存,以及AI、高性能移动设备等驱动的高端存储需求增长。这将带动上游半导体材料需求,利好相关企业。然而,市场复苏仍存在下游需求修复不及预期、厂商稼动率提升不及预期以及上游材料研发进度不及预期的风险。
美光科技等存储厂商的积极减产策略已取得显著成效,库存水平已降至正常线。四季度DRAM和NAND Flash均价全面上涨,其中Mobile DRAM合约价涨幅尤为显著。这表明市场供需关系正在改善,存储芯片价格上涨趋势已经确立。
AI、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等高端存储产品的需求增长是推动市场复苏的重要因素。海力士DRAM业务在短短两个季度内扭亏为盈,并实现出货量和ASP的显著增长,充分体现了高端存储市场强劲的增长潜力。
美光科技已完成DRAM库存去化,并将减产幅度从第三季度的31%收敛至第四季度的17%,预计明年将维持减产。其他厂商如三星和海力士也将在明年一季度或可看到减产环比收敛。这表明存储厂商正在积极控制供应,以应对市场需求变化。
TrendForce数据显示,四季度DRAM和NAND Flash均价全面上涨,DRAM合约价季涨幅约3~8%,Mobile DRAM合约价涨幅预估将扩大至13~18%。预计明年一季度存储价格仍将继续上涨。
美光科技上调了24Q1财报营收展望,三星和海力士的财报也均有改善,这进一步印证了存储市场复苏的趋势。
存储芯片复苏将带动上游半导体材料需求,特别是电子特气和前驱体等材料。由于存储芯片的用量显著大于逻辑芯片,且HBM、DDR5等高性能存储的起量将提升相关材料的价值量。因此,建议关注存储复苏对上游半导体材料行业的带动,相关标的如雅克科技、华特气体等值得关注。
尽管存储市场复苏迹象明显,但仍存在一些风险:下游存储需求修复不及预期、存储原厂稼动率抬升进度不及预期、上游半导体材料研发进度不及预期。投资者需谨慎评估这些风险。
本报告分析了当前存储芯片市场的复苏态势。美光、三星、海力士等主要厂商的积极减产和库存去化策略,以及AI等新兴应用驱动的高端存储需求增长,共同推动了DRAM和NAND Flash价格上涨。这将利好上游半导体材料行业。然而,投资者仍需关注下游需求、厂商稼动率和上游材料研发进度等潜在风险。 报告建议关注高端存储市场发展趋势以及上游材料龙头企业。 整体而言,存储芯片市场复苏趋势向好,但仍需持续关注市场动态,谨慎投资。
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