事件 　　11月28日新闻，美光第四季起启动收敛DRAM工厂减产幅度，反映领先完成库存去化，法人表示，美光DRAM库存已降至八周，完成库存去化，并将DRAM工厂减产幅度自第三季的31%收敛至第四季的17%、并预计在明年第一季至第四季维持减产幅度，DRAM晶圆厂可望自今年第四季至明年第二季陆续升载，推动价量齐扬。 　　点评 　　四季度存储行业持续改善，高端存储预期向好。在供应商对减产策略的坚持以及需求结构性改善的背景下，四季度部分存储价格涨幅扩大，根据TrendForce，自第四季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨，DRAM第四季合约价季涨幅约3~8%，其中第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%，展望24年一季度，存储价格预计仍将延续涨势。企业层面，三大存储原厂最新财报均有改善，美光24Q1财报将营收展望从44±2亿美元上调至接近47亿美元，DRAM库存水平已回到正常线，四季度减产将收敛，考虑到各家减产节奏，三星与海力士明年一季度或可看到减产环比收敛；受面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售的拉动，海力士DRAM业务在今年第一季度由盈转亏的DRAM仅在两个季度后扭亏为盈，三季度出货环比增长20%，ASP上升约10%；三星在今年下半年扩大减产幅度后，DRAM、NAND合约价也有所上调，未来将会继续专注于高附加值存储的销售。存储复苏将带动上游材料需求。存储芯片是半导体材料重要的使用场景，由于芯片结构的差异，部分半导体材料在存储芯片的用量会显著大于逻辑芯片，例如对于电子特气，在相同产能的情况下，存储芯片的气体用量比逻辑芯片的气体用量大2-3倍，前驱体的用量也是存储芯片更高，并且随着今年以后HBM、DDR5等高性能存储的起量，相关材料的内部结构也将发生变化，价值量有望提升，建议关注存储复苏对上游半导体材料行业的带动，相关标的如前驱体龙头雅克科技、电子特气龙头华特气体等。 　　风险提示 　　下游存储需求修复不及预期、存储原厂稼动率抬升进度不及预期、上游半导体材料研发进度不及预期